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晶体管放大电路设计
静态工作点的稳定与温度影响环境温度的变化对基本共射放大电路的静态工作点至关重要。当电源电压(Vcc/)和极基偏置电阻(Rb/)设定后，基极偏置电流(IB/)相对稳定。
如下图，其中三极管用任一款小功率NPN管都可以，Rc取3kΩ，Re取30Ω，Rb可以取消或者取很小的阻值。
电压放大倍数Av=100大于60 低频响应小于100Hz 高频响应大于100KHz 输入电压幅度40mV 输出电压不失真幅度4V 输出幅度达到4V时总谐波失真THD2%，信号10mV输出1V时THD0.2 图中晶体管β值按照100设计。晶体管可选用9013。
电子管功放电路详解
晶体管放大器是在低电压大电流下工作，功放级的工作电压在几十伏之内，而电流达几安或数十安。电路设计上多采用直耦式(OCL、BTL等)无输出变压器电路，输出功率可以做得很大，可达数百瓦，各项电性能都做得很高。
接下来，我们将详细解析电子管功放电路的结构与功能。电路结构与工作原理 电子管功率放大器在设计上通常采用高电压、低电流的工作模式。末级功放管的屏极电压可高达400-500伏甚至更高，而电流仅为几十毫安到几百毫安。
在真空状态下，灯丝的热辐射会逐渐加热了阴极的金属片，阴极金属片温度达到一定程度后（摄氏800度左右）。虽然当电子管的灯丝加上电，灯丝的温度会提高。金属片上的电子会游离在阴极周围，形成带电荷的电子云。
就采用三极管接法，听动态范围较大的软件，就采用超线性接法。末级推挽电路工作状态一般是在AB（甲乙类，兼顾了A类功放的低失真和B类的高效率）类，同时要看采用何种管子，由于你没有提供电路，所以不好凭空分析。
MOS管和IGBT管有什么区别?为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管...
IGBT焊机和MOS管有3点不同：两者的含义不同：IGBT焊机的含义：逆变过程需要大功率电子开关器件，采用绝缘栅双极晶体管IGBT作为开关器件的的逆变焊机成为IGBT逆变焊机。MOS管的含义：MOS管，是MOSFET的缩写。
焊机用IGBT管和MOS管的区别 MOS管一般用在小功率焊机上，MOS管一般特性就是小电流比较稳定，成本低廉，小型号民用机用的比较多。IGBT一般用在大功率焊机上，稳定性和频率比MOS管更稳定，只是造价比较高，一般用在工业焊机。
IGBT单管和MOS管的区别：从结构来说，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET（VDMOS）的差别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型。
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